Simcenter Micred T3STER MOSFET SAT（饱和模式，包括SiC MOS）测试线缆连接注意事项

当测试MOSFET的时候，在饱和（Saturation）模式下的电流工作过程：

• 加热电流从D流向S，对被测器件进行加热；
• 关断器件，测试电流从S流向D，对MOSFET的寄生二极管进行测试；
• 当加热电流关断，测试电流切换的时候，需要关断MOSFET的门极Gate。

当功率器件在关断时，都会出现“关断瞬间尖峰电压”。这个“关断瞬间尖峰电压”，是测试电路中的电感（杂散电感/寄生电感）中存储的电磁能转换产生的。关断时，电感中的电流不能突变，会产生一个尖峰电压，阻止电流的突然关断。这个电压就是“关断瞬间的尖峰电压”，尖峰电压U=L*(di/dt)。

关断瞬间的尖峰电压会导致测试系统的量测到的电压讯号不能反应温度变化而影响热测试结果分析的精度，尖峰电压过高甚至会烧毁被测器件和测试电路，需要尽量减少这个因素的干扰。功率循环中外部引入可以控制的电感主要在加热线缆中，待测器件内部通常无法调试。实践中常常遇到的降低电感影响的建议包括：

• 减少线缆长度，由于功率器件电流通常很大，母排到器件的距离或者线缆长度应尽可能短，建议不超过80cm；
• 减小回路面积，尽可能的让加热电流的“流入/流出”线缆缠绕，或者电缆靠近，比如通过扎带固定
• 线路应简单，加热线和测试线分开，避免缠绕。

对于不同类型的线缆连接方式的理论电感评估可以参考Parallel Wire Inductance Calculator - EEWeb 等工具。